外延Ni薄膜及其各向异性磁电阻性能分析  

作　　者：江奕天 李星星[1] 张昕[1] 

机构地区：[1]五邑大学数字光芯片联合实验室,广东江门529020

出　　处：《中国设备工程》2023年第3期115-117,共3页China Plant Engineering

摘　　要：本文分析了采用磁控溅射法在云母衬底外延生长Ni薄膜,结果表明,在不高于400℃时Ni薄膜可成功外延,Ni薄膜具有各向异性磁电阻效应,400℃制备的Ni薄膜各向异性磁电阻率达1.72%。此外,在曲率半径为10mm的条件下,经过104次弯曲循环后,各向异性磁电阻性能没有明显退化。

关 键 词：磁控溅射 外延生长 各向异性磁电阻 

分 类 号：TB383.2[一般工业技术—材料科学与工程]