低电压电容式RF MEMS开关设计研究  

作　　者：伍文昌[1] 

机构地区：[1]信阳职业技术学院汽车与机电工程学院,河南省信阳市464000

出　　处：《电子技术与软件工程》2023年第4期70-73,共4页ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

摘　　要：本文设计了一种低电压电容式RFMEMS开关,开关采用了两端固支梁结构,在梁与CPW共面波导地线的四个固定支撑位置使用了折叠结构,该结构可以减低下拉电压;通过在MEMS开关梁上开孔(直径9μm圆孔)来减小残余应力和杨氏模量和选择合适的开关梁厚度,显著降低了MEMS开关梁的弹性系数和下拉电压。以上措施显著降低了电容式RFMEMS开关的下拉电压,在ANSYS仿真下拉电压约为6V,驱动电压约为8.4V,该MEMS开关依旧保持了较好的S参数,开关插入损耗大于-0.35dB(8-40GHz),回波损耗小于-22dB(8-40GHz),隔离度(down态S21)大于25dB(8-40GHz)。

关 键 词：电容式RF MEMS开关 低驱动电压 MEMS器件 

分 类 号：TH-39[机械工程] TM564[电气工程—电器]