前沿技术 SiC MOSFET的短沟道效应  

作　　者：无 

机构地区：[1]英飞凌工业半导体

出　　处：《变频器世界》2023年第4期39-41,共3页The World of Inverters

摘　　要：Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异,Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET这篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。直接翻译不免晦涩难懂,不如加入自己的理解,重新梳理一遍,希望能给大家带来更多有价值的信息。今天我们着重看下第一部分——短沟道效应。

关 键 词：短沟道效应 MOSFET 短路特性 前沿技术 滞回效应 体二极管 IGBT 晦涩难懂 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]