基于IPD工艺的低频宽带高增益功率放大器设计  

作　　者：朱紫康 银军[1] 王毅 倪涛[1] 余若琪 董世良 刘泽 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《通讯世界》2023年第1期181-183,共3页Telecom World

摘　　要：介绍了一种覆盖P波段到S波段的低频GaN宽带高增益功率放大器的设计流程。通过采用集成无源器件(integrated passive device,IPD)技术,该放大器集成了驱动和末级功率放大器,其中末级功率放大器采用Lange电桥合成构成平衡结构。整个功率放大器在27.5 mm×30.6 mm×5.0 mm的载体尺寸内实现。测试结果显示在0.8 GHz~2.7 GHz频带内饱和输出功率在25.2~36.4 W,功率增益在24~25.62 dB,功率附加效率大于40.7%,最高功率附加效率达到了53.5%。

关 键 词：GAN IPD 高增益 宽带 功率放大器 

分 类 号：TN626[电子电信—电路与系统]