新原理开关器件为高性能海量存储提供新方案  

作　　者：宋志棠[1] 朱敏[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所

出　　处：《前沿科学》2023年第1期25-27,共3页Frontier Science

摘　　要：随着物联网、5G通讯、人工智能、元宇宙等技术的快速发展,高密度与海量存储成为大数据时代信息技术与数字经济发展的关键瓶颈。英特尔于2017年推出的三维相变存储与近存计算架构,依托双向阈值开关(OTS)实现了存储阵列三维集成,并成功研发出256Gb新型海量存储芯片,在高能效计算与数据中心应用中显示巨大的商业价值。但OTS开关材料组分复杂,其引起的成分偏析制约了相变存储芯片的存储寿命和密度的进一步提升。

关 键 词：存储阵列 人工智能 数据中心 信息技术 海量存储 物联网 OTS 三维集成 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]