F、Nb共掺杂高导电SnO_(2)薄膜的研制  

作　　者：史国华 刘起英 

机构地区：[1]中国玻璃控股有限公司,威海中玻新材料技术研发有限公司,威海264205

出　　处：《建筑玻璃与工业玻璃》2023年第5期13-17,共5页Architectural Glass and Functional Glass

摘　　要：SnO_(2)薄膜是重要的透明电极材料,其导电性能主要取决于掺杂方式和制备工艺。由于传统的掺杂工艺及单元素掺杂对薄膜光电性能的改善遇到瓶颈,实施多元共掺杂,利用元素之间的协同增强作用,成为进一步提升薄膜光电性能的重要手段。首先通过第一性原理对薄膜结构参数和电学性能进行计算,分析了F、Nb共掺杂的可行性与合理性,并用常压化学气相沉积(APCVD)技术,模拟浮法玻璃在线镀膜工艺,沉积了F、Nb共掺杂的SnO_(2)薄膜,对其导电性能有明显提升,电阻率可降至3.6×10^(-4)Ω·cm。通过微结构与形貌分析,研究了薄膜生长与光电性能的物理机制。适量的Nb掺杂,可以改善薄膜的结晶性能,薄膜更倾向于(200)结晶取向。

关 键 词：透明电极 结晶取向 浮法玻璃 第一性原理 在线镀膜 光电性能 薄膜生长 共掺杂 

分 类 号：TB3[一般工业技术—材料科学与工程]