9路高度集成型二次电源SiP的设计  

作　　者：潘建男 吴雷 于长存 

机构地区：[1]北京七星华创微电子有限责任公司,北京100020

出　　处：《电子元器件与信息技术》2023年第3期36-40,共5页Electronic Component and Information Technology

摘　　要：本文引入一种以HTCC为载体、9路集成、100引针的QFP陶瓷封装型电源SiP,SiP是从封装的立场出发,将多个不同功能的芯片、无源器件等组装到一起,实现一定功能的单个标准封装件,目前电子行业内多以PCB为载体,BGA、LGA、QFN的封装形式为主流。SiP封装的设计可以最大限度地优化产品内部组装密度、缩短开发周期、降低成本。电路的电源输入电压为5.8V~6.2V,输出9路稳定电压,总功率约为38W,工作温度范围为-55℃~125℃,电路设计时采用金属陶瓷全密封封装结构,是一款集成度高、小型化、高可靠性非隔离DC/DC变换器产品。

关 键 词：DC/DC变换器 SIP封装 HTCC工艺 9路输出 

分 类 号：F416.6[经济管理—产业经济]