系列深紫外准分子激光器  

Deep-UV Excimer Lasers ExciMAS-P20/P200/B200

出　　处：《中国科学院院刊》2023年第S01期70-70,共1页Bulletin of Chinese Academy of Sciences

摘　　要：主要技术与性能指标,输出激光波长:193 nm、248 nm、308 nm、351 nm,最大激光脉冲能量:800 mJ(@248 nm),激光脉冲宽度:约25 ns,脉冲能量稳定性:<1%。主要应用,半导体光刻、低温多晶硅退火、脉冲薄膜沉积、光纤光栅刻蚀、紫外精细打标。

关 键 词：半导体光刻 低温多晶硅 激光波长 脉冲能量 光纤光栅 深紫外准分子激光 打标 薄膜沉积 

分 类 号：TN24[电子电信—物理电子学]