不同条件下单晶硅片磨抛过程中的应力应变模拟  

作　　者：秦朗 何翠翠 商剑[2] 齐锦刚[2] 张峰 

机构地区：[1]锦州神工半导体股份有限公司,辽宁锦州121000 [2]辽宁工业大学材料科学与工程学院,辽宁锦州121000 [3]沈阳农业大学水利学院,辽宁沈阳110866

出　　处：《电子元器件与信息技术》2023年第5期1-4,共4页Electronic Component and Information Technology

基　　金：辽宁省重大科技专项《低缺陷半导体硅片研发及产业化》(项目编号:2020JH1/10100014)。

摘　　要：为了对单晶硅片的最优磨抛工艺提供理论指导,采用有限元软件对单晶硅片磨抛工艺进行仿真分析。采用有限元模拟仿真软件对直径200mm硅片磨抛工艺过程进行了模拟仿真研究,考查了磨抛工艺过程中的转动速度和磨抛颗粒度(摩擦系数)对硅片表面应力应变的影响规律。结果表明:当磨盘与单晶硅片接触时,接触区域产生了较大的应力集中,随着转动速度的增加,单晶硅片磨抛表面的等效应力值由983MPa明显增加至1420MPa;磨抛过程中,单晶硅片表面的应力分布从圆心向单晶硅片边缘径向增加;随着摩擦系数由0.3增加至0.8,等效应力最大值由24.4MPa增加至25.3MPa。

关 键 词：单晶硅 磨抛 应力应变 模拟 

分 类 号：TG580.6[金属学及工艺—金属切削加工及机床]