碲化铌展现下一代存储器材料前景  

出　　处：《电子产品可靠性与环境试验》2023年第4期78-78,共1页Electronic Product Reliability and Environmental Testing

摘　　要：据报道,美国东北大学研究人员验证了溅射技术在制造大面积二维范德华四硫属化物方面的潜在用途。利用这项技术,他们制造并鉴定了一种非常有前途的材料——碲化铌,它具有约447℃(起始温度)的超低熔点。这一成果发表在最近的《先进材料》杂志上。相变存储器是一种非易失性存储器,它利用相变材料从非晶态(原子无序排列)转变为晶态(原子紧密堆积在一起)的能力。这种变化产生了可逆的电特性,可用于存储和检索数据。

关 键 词：非易失性存储器 相变存储器 检索数据 潜在用途 紧密堆积 起始温度 电特性 无序排列 

分 类 号：TQ135.12[化学工程—无机化工] TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]