面向后摩尔时代集成电路的二维非硅半导体材料与器件  

Two-dimensional beyond-silicon semiconductors and devices for post-Moore integrated circuits

作　　者：张跃[1,2] Yue Zhang(Academy for Advanced Interdisciplinary Science and Technology,University of Science and Technology Beijing,Beijing 100083,China;Beijing Key Laboratory for Advanced Energy Materials and Technologies,University of Science and Technology Beijing,Beijing 100083,China)

机构地区：[1]北京科技大学前沿交叉科学技术研究院,北京100083 [2]北京科技大学新能源材料与技术北京市重点实验室,北京100083

出　　处：《科学通报》2023年第22期2871-2872,共2页Chinese Science Bulletin

摘　　要：晶体管尺寸微型化是近几十年来集成电路性能提升的主要驱动力,成功推动了社会向信息化、智能化方向迅猛发展.然而,随着传统硅基芯片制造技术逼近尺寸微缩的理论极限,硅基集成电路面临着材料性能急剧衰退、器件功耗激增和系统集成难度陡升等诸多挑战.

关 键 词：智能化方向 集成电路 系统集成 理论极限 材料性能 信息化 芯片制造技术 微型化 

分 类 号：TN40[电子电信—微电子学与固体电子学]