金刚石半导体商用加速  

作　　者：无 

机构地区：[1]凤凰新闻

出　　处：《超硬材料工程》2023年第4期34-34,共1页Superhard Material Engineering

摘　　要：近日,日本千叶大学的科学家宣布他们已经开发出一种使用激光制造金刚石晶片的方法,有望为下一代半导体提供助力。虽然目前硅仍然是半导体的主要材料,但是氮化镓、碳化硅宽带隙使半导体材料能够在更高的电压、频率和温度下更有效地发挥作用。随着电动汽车采用的加速,对宽带隙的碳化硅元件需求也是越来越大。

关 键 词：激光制造 半导体材料 氮化镓 电动汽车 宽带隙 碳化硅 金刚石 

分 类 号：TQ163[化学工程—高温制品工业] TN304[电子电信—物理电子学]