CdTe薄膜射频磁控溅射法制备研究  

作　　者：焦宇泽 杜欣欣 

机构地区：[1]太原理工大学材料科学与工程学院,山西太原030024

出　　处：《光源与照明》2023年第8期57-59,共3页Lamps & Lighting

摘　　要：太阳能的规模化利用是解决当今全球能源短缺的重要途径。CdTe作为公认的高效、廉价的薄膜电池材料受到重视,文章介绍了射频磁控溅射法,总结了射频磁控溅射法制备的影响因素,包括溅射频率、脉冲偏压、沉积时间与射频功率、衬底靶距、衬底温度及沉积气氛等,以期为太阳能规模化利用提供助力,为薄膜电池材料的发展添砖加瓦。

关 键 词：CDTE 射频磁控溅射法 薄膜性能 

分 类 号：TM914.4+2[电气工程—电力电子与电力传动]