基于多层电极底栅底接触并五苯有机场效应晶体管的研究  

作　　者：陈泽 马艺轩 张骞 刘丽珍 樊建锋 刘鹏英 樊俊风 

机构地区：[1]内蒙古自治区计量测试研究院,内蒙古呼和浩特010020

出　　处：《内蒙古科技与经济》2023年第17期90-93,141,共5页Inner Mongolia Science Technology & Economy

摘　　要：一种底栅底接触漏/源(D/S)电极并五苯有机场效应晶体管(OFET)被制备,并搭配了不同层次的缓冲层作为D/S的OFET。结果表明,多层缓冲层电极修饰明显增强了OFET的电荷注入,其中以V_(2)O_(5)/Al/V_(2)O为D/S电极的OFET展现出最佳的电学特性:有效场效应迁移率μ_(eff)=0.364 cm^(2)V^(-1)s^(-1),阈值电压VTH=-10V和开/关比I_(on/off)≈10^(4)。其原因是接触电阻(RC)的降低改善了器件的电学性能。采用单晶体管法(S_(TM))代替常用的排线法(T_(LM))来计算接触电阻(R_(C))和沟道电阻(R_(CH)),避免假设RC不随漏极电流(I_(DS))变化与实验不符。最终确定RC和RCH之间的相对变化关系,从而决定电荷如何从金属电极到有机半导体注入。

关 键 词：缓冲层 场效应晶体管 底栅 底接触 

分 类 号：TN321.5[电子电信—物理电子学]