面向芯片三维封装的低成本玻璃基深沟电容技术  

作　　者：胡芝慧 钟毅 窦宇航 于大全 

机构地区：[1]不详

出　　处：《电子与封装》2023年第10期92-92,共1页Electronics & Packaging

摘　　要：电容作为集成电路芯片应用的重要元件,广泛用于滤波、振荡、去耦、开关等场景。近年来,高密度集成对高性能、微型化无源器件的需求急速增加,并且耦合阻抗匹配电路对电容提出了更高的要求。研究结果表明,集成深沟电容(DTC)的2.5D/3D封装芯片具有优越的电源完整性(PI)。硅基深沟电容虽然可以满足对高电容密度和高集成化的要求,但存在高损耗和高工艺成本等问题。玻璃具有优异的高频电学性能、良好的绝缘性、可调节的热膨胀系数(CTE)和面板级尺寸,已成为低损、低成本2.5D/3D封装及集成无源器件的理想基板。

关 键 词：集成电路芯片 高集成化 工艺成本 电源完整性 无源器件 重要元件 微型化 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]