UHF频段350 W超宽带小型化GaN功率放大器设计  

作　　者：张晓帆[1] 银军[1] 倪涛[1] 余若祺[1] 高永辉[1] 林正兆 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《通讯世界》2023年第11期4-6,共3页Telecom World

摘　　要：采用50 V氮化镓(GaN)芯片,设计一款超高频(UHF)频段350 W超宽带小型化GaN功率放大器。基于砷化镓(GaAs)无源工艺,设计芯片化的输入集成无源器件(IPD)匹配电路;基于高热率的瓷片,设计集成的“L”型瓷片预输出匹配,以及基于高介电常数的印刷电路板(PCB)板材,设计外输出匹配电路,从而实现输出匹配电路的宽带小型化。采用混合集成工艺实现小型化高密度集成,功率放大器体积为25 mm×25 mm×7 mm。经测试,功率放大器在频带为0.3 GHz~0.7 GHz、电压为50 V、脉宽为100μs、占空比为10%、输入功率为15 W的工作条件下,实现了带内输出功率大于350 W、功率增益大于13.5 dB、功率附加效率大于50%的性能指标。

关 键 词：超宽带 GAN 小型化 功率放大器 UHF 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]