4H-SiC衬底上Ti/TiN/Pt电极的高温性能研究  

作　　者：杨荣森 杜玉玲 

机构地区：[1]毕节市大数据产业发展中心,贵州毕节551700

出　　处：《信息记录材料》2023年第12期227-229,共3页Information Recording Materials

摘　　要：将4H-SiC衬底上的Ti/TiN/Pt电极样品在800℃真空环境下退火20 min,形成欧姆接触,再分别在600℃、700℃、800℃、900℃下老化1 h和在600℃下分别老化1 h、2 h、4 h、8 h,通过测试电极的比接触电阻、表面形貌和元素含量,从而研究4H-SiC衬底上Ti/TiN/Pt电极的高温性能。研究发现,4H-SiC衬底上Ti/TiN/Pt电极在高温环境下发生金属互扩散,在电极表面生成白色氧化物颗粒物,导致电学特性退化。研究表明:在700℃高温环境下,4H-SiC衬底上Ti/TiN/Pt电极的电学特性严重退化;在800℃以上的高温环境中,电极欧姆特性消失;在600℃高温环境下,电极的比接触电阻随着老化时间增加,离散性逐步增大。

关 键 词：碳化硅 欧姆电极 比接触电阻 互扩散 

分 类 号：TN30[电子电信—物理电子学]