基于阻变存储器的仿真模型设计  

Design of Simulation Model Based on Resistive Variable Memory

作　　者：万新宇 WAN Xinyu(Hubei University,Hubei 430062,China)

机构地区：[1]湖北大学,湖北430062

出　　处：《集成电路应用》2024年第1期44-47,共4页Application of IC

摘　　要：阐述RRAM模型的开关方法和电流电压关系,探讨物理电热仿真模型、斯坦福模型、黄的物理模型的仿真模型的搭建原理,RRAM的仿真分析。This paper describes the switching methods and current and voltage relationship of various popular RRAM models,and the building principles of physical electrothermal simulation model,Stanford model,Huang's physical model and other simulation models,and RRAM modeling simulation.

关 键 词：阻变存储器 氧空位电热 模拟与仿真 SPICE 有限元法 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学] TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构] F426.61[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]