国产二维半导体材料低功耗器件架构方面取得进展!  

出　　处：《变频器世界》2024年第1期57-57,共1页The World of Inverters

摘　　要：近日,北京科技大学张铮教授团队和张跃院士团队在二维半导体材料低功耗器件架构方面取得进展。研究成果以“自偏置二硫化钼晶体管基同质结负载型反相器用于亚皮瓦级计算”为题,于2024年1月8日发表在《自然·电子》上。

关 键 词：反相器 同质结 二硫化钼 自偏置 北京科技大学 晶体管 二维半导体材料 低功耗器件 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]