SiC MOSFET多管并联均流方案及IVCR1412驱动芯片应用  

出　　处：《变频器世界》2024年第2期38-42,共5页The World of Inverters

摘　　要：在大功率变换系统中,多管并联能提升电流承载能力,增加输出功率,常用于电机驱动、电动汽车、电力传输等场景。但多管并联均流是一大挑战,这影响了系统中器件的温度分布,进而影响系统可靠性,最终成为限制系统功率和效率的瓶颈。为了实现多管并联均流,瞻芯电子基于SiC MOSFET和SiC专用·比邻驱动TMIVCR1412芯片开展了均流研究,在不同均流驱动方案和不同条件下,测试影响均流的因子,以提供均流方案建议。

关 键 词：并联均流 多管并联 驱动芯片 MOSFET 电力传输 驱动方案 系统可靠性 系统功率 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]