浅析影响离子注入晶圆电荷的因素  

作　　者：林萍 赵官源 郭翠丽 高瑞松 尹进峰 

机构地区：[1]北京烁科中科信电子装备有限公司

出　　处：《中国集成电路》2024年第5期84-88,共5页China lntegrated Circuit

摘　　要：离子注入是微电子器件制程工艺中的一种重要的掺杂技术。然而,由于利用离子注入工艺掺入的离子带有电荷,而在注入晶圆后这些电荷会累积在晶圆的表面,大量积累在晶圆表面的电荷,可能通过已经制作在晶圆表面上的电容结构,形成电流,从而造成晶圆的栅极、栅极与半导体间的栅极氧化层的伤害。通过理论分析和多次的试验测试发现,造成晶圆表面累积电荷的因素很多,有电荷中和装置离子淋浴枪发射电子不足的原因,以及静电吸盘电源输出电压不平衡等因素导致。本文针对这些因素进行一定的理论分析和研究。

关 键 词：离子淋浴枪 静电吸盘 静电吸盘电源 靶室腔体 晶圆 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]