雪崩光电探测器用厚膜高阻外延材料的生长研究  

作　　者：刘云 李明达 

机构地区：[1]中电晶华(天津)半导体材料有限公司,天津300220

出　　处：《电子元器件与信息技术》2024年第3期11-14,23,共5页Electronic Component and Information Technology

摘　　要：本文阐述了以P型重掺杂硅抛光片(ρ<0.02Ω·cm)为硅单晶衬底,采用化学气相外延方法生长P型厚层高阻外延层(T:62±3%μm,ρ:200±3%Ω·cm)。通过对硅外延反应设备的流场、热场结构的设计,以及表面保护层等新工艺的设计和实施,对硅外延层的厚度/电阻率分布以及表面裂纹等影响因素进行了详细分析。通过傅里叶变换红外线光谱分析仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg C-V)、金相显微镜等量测设备对外延参数和表面质量进行了分析,成功制备出厚度不均匀性<1%、电阻率不均匀性<3%且表面无裂纹的厚膜高阻硅外延层。

关 键 词：雪崩光电探测器 硅外延 均匀性 裂纹 

分 类 号：TN312.7[电子电信—物理电子学] TN304.054