检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:郑刚[1] 莫康 王颂[1] 邹腾剑 邓宛如 Zheng Gang
机构地区:[1]浙江大学管理学院,杭州310058
出 处:《复印报刊资料(创新政策与管理)》2023年第7期90-99,共10页Innovative policyand management
基 金:国家自然科学基金联合基金项目(U1509221);国家重点研发计划课题(2019YFB1404901);国家自然科学基金资助项目(71772160)。
摘 要:快速实现关键核心技术突破对我国破解“卡脖子”问题、实现科技自立自强和企业提升自主创新能力具有重要意义。现有文献大多关注关键核心技术突破内涵与意义、影响因素、过程、机制、模式和路径等,但对于后发企业如何在较短时间实现关键核心技术突破讨论尚不足。本文采用单案例研究方法,以海思半导体为研究对象,深入探讨后发企业快速实现关键核心技术突破过程机理。研究发现:第一,引入吸收速度概念,后发企业关键核心技术快速突破,遵循从个体、组织到组织间吸收速度提升的演进过程;第二,定义互补资产链接能力概念,区分互补资产内链接能力、互补资产间链接能力、核心-互补链接能力分别在吸收速度动态演进过程的加速作用,揭示核心-互补链接能力有助于技术研发与内部市场耦合作用,进而加速技术积累、选代和升级的机理;第三,互补资产链接能力提升知识吸收速度,支撑芯片设计企业快速实现关键核心技术突破。研究成果丰富吸收能力、互补资产和快速实现关键核心技术突破理论内涵,研究结论为芯片设计后发企业快速实现关键核心技术突破提供理论依据和实践启示。
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