功率芯片金-硅焊接空洞研究  

作　　者：王朋[1] 范国莹 白红美 孙保瑞[1] 鲍帅 李保第[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050000

出　　处：《通讯世界》2024年第6期22-24,共3页Telecom World

摘　　要：金-硅(Au-Si)焊接通常用于装配射频电路中大功率的芯片,对芯片空洞率的要求极高,以此降低芯片装配的热阻和提高装配的可靠性,Au-Si焊接的主要方式为保护气氛下共晶摩擦焊。为降低Au-Si共晶摩擦焊的空洞率,对焊接载体的镀层进行研究,通过使用镍-钴(Ni-Co)镀层替代Ni镀层,增加Ni-Co镀层厚度,改善焊接效果,提高芯片装配的可靠性。

关 键 词：金-硅焊接 Ni-Co镀层 空洞率 共晶摩擦焊 热阻 

分 类 号：TN305.94[电子电信—物理电子学]