基于IGBT双脉冲测试栅极EMI抑制技术研究  

作　　者：刘海峰 迟耀丹[1] 王春艳 赵旭 邢晓柯 

机构地区：[1]吉林建筑大学,吉林长春130119 [2]四平市巨元瀚洋板式换热器有限公司,吉林四平136000

出　　处：《技术与市场》2024年第7期29-35,共7页Technology and Market

基　　金：吉林省科技发展计划项目(20200401012GX)。

摘　　要：针对绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)栅极电磁干扰抑制有很大的影响,选用N沟道和P沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET)组成的推挽栅极电路,首先,分析了含有寄生参数的给出等效电路图的IGBT模块和驱动电路中包含的寄生参数;其次,通过官方型号Infineon-FF75R12RT4的IGBT模块导入到LTspiceXVII进行仿真验证,以及基于LTspiceXVII软件仿真分析了外接串联栅极电阻和外接并联栅极电容对IGBT动态特性的影响;最后,通过仿真和试验分析了栅极驱动电路的电磁干扰(electronic-magnetic interference, EMI)发生原因和抑制方法,提出了串联栅极电阻和并联栅极电容抑制有效性,并以双脉冲试验验证了其有效性。

关 键 词：推挽栅极驱动电路 寄生参数 电磁干扰(EMI)抑制 双脉冲 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]