一种有效提升离子注入机离子源寿命的方法  

作　　者：魏宏杰 周升 陈海军 杨旺杰 

机构地区：[1]株洲中车时代半导体有限公司,湖南株洲412001

出　　处：《今日制造与升级》2024年第5期173-176,共4页Manufacture & Upgrading Today

摘　　要：文章主要介绍了半导体离子注入设备中的关键部件离子源在硼注入过程中存在寿命偏低的问题。并对这个问题的形成机理进行研究,从而提出了解决这一问题的一种有效办法。通过在离子注入机使用的杂质源BF3中增加H2,形成混合气体。实验证明,在离子源的电离过程中使用BF3和H2混合气体时,可以有效减少卤素循环对离子源造成的负面影响,从而提高离子源寿命,同时也提升了离子源产生束流的稳定性。

关 键 词：离子注入 离子源 卤素循环 束流 

分 类 号：F407.63[经济管理—产业经济]