一种Z切钛扩散铌酸锂光波导图形的制备方法  

作　　者：富松 曾建 张洪波 华勇[1] 杨千泽 张征 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《电子制作》2024年第15期110-113,共4页Practical Electronics

摘　　要：Z切铌酸锂晶体具有明显的热释电效应,该效应会影响在其表面光刻钛扩散波导图形的质量,进而影响波导的光参数。本文创新性提出一种Z切钛扩散铌酸锂光波导图形的制备方法,通过引入导电薄膜,有效地削弱了热释电效应的影响,进一步提升了Z切钛扩散铌酸锂光波导的图形质量,最终制备出的Z切钛扩散铌酸锂光波导传输损耗仅为0.09dB/cm,50mm长光波导芯片光纤到光纤的平均插入损耗仅为1.84dB,片内非均匀性优于±5.9%。

关 键 词：光波导 钛扩散 热释电效应 Z切铌酸锂 

分 类 号：TN252[电子电信—物理电子学]