直流磁控溅射参数对ITO薄膜光电性能的影响  

作　　者：曾墩风 王志强 方月 曾探 

机构地区：[1]芜湖映日科技股份有限公司

出　　处：《中国金属通报》2024年第13期186-188,共3页China Metal Bulletin

摘　　要：ITO薄膜作为当下应用范围最为广泛的透明导电薄膜,在众多领域发挥着关键作用.其中,磁控溅射法在制备ITO薄膜方面应用颇为广泛.通过精心优化制备工艺参数,能够进一步显著改善ITO薄膜的光学和电学性能.在本研究中,我们运用直流磁控溅射法成功制备了ITO薄膜,并深入探究了一系列制备工艺参数,如镀膜温度、氧气流量、靶基距以及溅射功率等,对ITO薄膜光学性能和电学性能产生的影响规律.经过大量的实验和细致的分析,最终确定:当镀膜温度为520℃、氧气流量为50/0.2 sccm、靶基距为16/20 cm以及溅射功率为33W时,能够形成最优的直流磁控溅射制备工艺参数组合,从而为制备出性能卓越的ITO薄膜提供了可靠的工艺条件.

关 键 词：ITO薄膜 直流磁控溅射 光电性能 

分 类 号：O48[理学—固体物理]