湿法刻蚀对硅微表面损伤层及金属离子残留控制研究  

作　　者：刘志彪 祝建敏 王少凡 李熊 李长苏 

机构地区：[1]杭州盾源聚芯半导体科技有限公司,浙江杭州310000

出　　处：《清洗世界》2024年第7期40-43,共4页Cleaning World

摘　　要：半导体硅部件是集成电路制程工艺中关键零部件,其制造过程主要通过机械铣削的方式实现产品特征加工,这种加工方式难以避免在硅表面形成亚表面损伤层,这不仅影响硅部件表面质量,同时产品表面金属离子残留难以进行控制。本文阐述了硅湿法刻蚀机理及金属离子污染物在硅表面吸附方式,通过混合酸刻蚀的方案的设计,实现硅微表面亚表面损伤层有效腐蚀去除,同时对硅表面关键金属离子残留去除率整体达到60%以上,实现较好的金属离子去除效果。

关 键 词：硅 微表面 湿法刻蚀 微表面损伤层 金属离子 

分 类 号：TQ127.2[化学工程—无机化工]