人造铁电氮化硼晶体  

作　　者：王理 刘开辉[2] 白雪冬[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100190 [2]北京大学物理学院,北京100871

出　　处：《物理》2024年第6期404-407,共4页Physics

基　　金：国家自然科学基金(批准号:52025023,51991344,12334001,52272173);国家重点研发计划(批准号:2021YFA1400204,2023YFB4603603,2022YFA1403500)资助项目;中国科学院战略性先导科技专项B(批准号:XDB33030200)。

摘　　要：具有sp^(2)杂化键的层状氮化硼(BN)以其卓越的化学稳定性、高热导率以及无悬挂键的原子级平整度,成为宽带隙二维绝缘体的优选材料[1-3]。同时,作为新一代电介质材料,其低介电常数和低介电损耗的特性,也为提升器件速度和降低器件功耗提供了物理基础[4]。

关 键 词：悬挂键 电介质材料 低介电常数 物理基础 低介电损耗 氮化硼 高热导率 化学稳定性 

分 类 号：TB383.2[一般工业技术—材料科学与工程]