IGZO薄膜晶体管专利技术现状  

作　　者：赖淑妹 

机构地区：[1]国家知识产权局专利局专利审查协作北京中心福建分中心

出　　处：《中国科技信息》2024年第22期11-13,共3页China Science and Technology Information

摘　　要：IGZO薄膜晶体管凭借较高的迁移率,较好的均一性、透明度和较低的制作温度、工艺难度,在液晶显示和有机发光二极管领域受到广泛关注。本文从专利申请的角度对IGZO薄膜晶体管的发展进行分析,介绍了IGZO薄膜晶体管技术的国内外专利申请情况、主要技术分布和重要申请人分布等内容,并对IGZO薄膜晶体管的发展技术路线进行梳理,有利于IGZO薄膜晶体管技术发展动向的研究。

关 键 词：有机发光二极管 液晶显示 迁移率 专利申请 技术发展动向 晶体管 专利技术 工艺难度 

分 类 号：G255.53[文化科学—图书馆学] TN321.5[电子电信—物理电子学]