V波段5 W高效率GaN功率放大器MMIC设计  

作　　者：游恒果 张翔 张翊 徐军 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051 [2]电子科技大学物理学院,四川成都611731 [3]上海无线电设备研究所,上海201108

出　　处：《通讯世界》2024年第11期1-3,共3页Telecom World

摘　　要：设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit,MMIC),该功率放大器采用130 nm的GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)工艺。该功率放大器MMIC由两个功率放大器子电路和威尔金森功分器构成,设计中每个子电路均采用三级放大的拓扑结构,并通过高低阻抗微带线实现输入、输出及级间的阻抗匹配。该功率放大器MMIC的饱和输出功率为37 dBm(5 W),功率附加效率峰值达到22%。

关 键 词：V波段 GAN 功率放大器 单片微波集成电路 威尔金森 功率合成 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]