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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:燕春晖(摘译)
机构地区:[1]不详
出 处:《石油炼制与化工》2024年第12期65-65,共1页Petroleum Processing and Petrochemicals
摘 要:在集成电路领域,追求更高的集成密度和更低的功耗已成为行业的主要趋势。然而传统硅基半导体材料已接近其物理极限,因此寻找新的替代材料变得尤为重要。碳纳米管(CNTs),尤其是有序碳纳米管(A-CNTs),因其卓越的电学和机械性能,被视为未来在集成电路中硅的理想替代材料之一。近日,北京大学与浙江大学的研究团队共同在《Materials Today(今日材料)》期刊上发表了关于有序碳纳米管用于构建先进CMOS场效应晶体管(FETs)应用前景的综述。
关 键 词:场效应晶体管 集成电路 集成密度 物理极限 未来应用 研究团队 机械性能
分 类 号:TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程] TQ127.11[化学工程—无机化工] TN40[电子电信—微电子学与固体电子学]
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