低能V^+注入花生种子的深度研究  

Study of Penetration Depth for V^+ With Low Energy Implanted in Peanut Seeds

作　　者：汪新福[1,2,3] 陆挺[1,2,3] 周宏余[1,2,3] 朱光华[1,2,3] 丁晓纪[1,2,3] 

机构地区：[1]北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室 [2]北京师范大学低能核物理研究所,北京100875 [3]北京市辐射中心,北京100875

出　　处：《原子能科学技术》2002年第6期531-534,共4页Atomic Energy Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (19890 30 3)

摘　　要：用扫描电子显微镜和X射线能谱仪测定了低能V+ 注入干花生种子的穿透深度 浓度分布。结果表明 :这种分布是有长拖尾的高斯分布 ;2 0 0keV的V+ 注入干花生种子的最大穿透深度为 1 3 6 μm。比较了实验结果与TRIM95的计算值。The penetration depth and concentration distribution for vanadium ions with low energy implanted into the dry peanut seeds is determined by scanning electron microscope and X-ray energy dispersion spectrometer. The results show that the depth-concentration distribution is a Gaussian distribution with a long tail and the maximum penetration depth is about 13.6 μm for V+ 200 keV in cotyledon of the peanut. The experimental result of the implanted V+ ranging in the peanut seed is compared with the calculating value of the TRIM95.

关 键 词：离子注入 花生种子 扫描电子显微镜 深度分布 钒化 DNA 变异 穿透深度 浓度 结构损伤 

分 类 号：O691[理学—化学] S565.2[农业科学—作物学]