氮化硅薄膜制备和生长动力学研究进展  

Silicon Nitride preparation and Current Research on Growth Kinetics

作　　者：祝洪良[1] 裴艳丽[1] 杨德仁[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《材料导报》2002年第12期34-36,共3页Materials Reports

摘　　要：综述了氮化硅在微电子中的应用、制备,阐述了用氮气直接氮化的影响因素、膜生长的机理和动力学,以及未来的研究方向。This paper summarizes the application in microelectronics and the preparation of silicon nitride.Influencing factors,growth mechanism,kinetics of nitndation in nitrogen and research focus are discussed.

关 键 词：氮化硅薄膜 制备 研究进展 氮化 动力学 生长机理 陶瓷 

分 类 号：TQ174.758[化学工程—陶瓷工业] O4[化学工程—硅酸盐工业]