裴艳丽

作品数：4被引量：9H指数：2
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供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文主题：氮化硅氮化硅X射线光电子谱硅片表面更多>>
发文领域：电子电信理学化学工程更多>>
发文期刊：《材料导报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化被引量：5
《Journal of Semiconductors》2003年第10期1049-1052,共4页祝洪良 杨德仁 汪雷 裴艳丽 阙端麟 张寒洁 何丕模 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 32 0 10 )~~
研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化 ,利用了XPS(X射线光电子谱 )、SEM(扫描电子显微镜 )、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪 )等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的样品表面 ,结果发现只有用高纯氮保...
关键词：氮化硅 X射线光电子谱 氮化 
高温快速热处理对硅中热施主的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第10期1035-1039,共5页裴艳丽 杨德仁 马向阳 樊瑞新 阙端麟 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 32 0 10 ;90 2 0 70 2 4)~~
研究了不同气氛 (N2 、O2 、Ar)下高温快速热处理 (RTP)对热施主形成和消除特性的影响 .研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP ,对热施主的形成均无影响 .扩展电阻的分析结果表明 ,热施主在硅片纵向的分布是均匀的 .根据高温RTP后硅片...
关键词：热施主 快速热处理 硅 
硅中氮离子注入的研究进展
《材料导报》2003年第2期69-72,共4页裴艳丽 杨德仁 
国家自然科学基金(50032010)
综述了硅中氮离子注入的应用和研究进展。主要讨论了氮离子注入形成SOI层的原理、质量的影响因素和电学性能;介绍了氮离子注入在制备超薄氧化栅极及其抑制掺杂杂质原子特别是硼原子扩散等方面的研究和应用。
关键词：氮离子 离子注入 硅 SOI 半导体材料 
氮化硅薄膜制备和生长动力学研究进展被引量：2
《材料导报》2002年第12期34-36,共3页祝洪良 裴艳丽 杨德仁 
综述了氮化硅在微电子中的应用、制备,阐述了用氮气直接氮化的影响因素、膜生长的机理和动力学,以及未来的研究方向。
关键词：氮化硅薄膜 制备 研究进展 氮化 动力学 生长机理 陶瓷 
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