硅中氮离子注入的研究进展  

Nitrogen Ion-implantation in Silicon

作　　者：裴艳丽[1] 杨德仁[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《材料导报》2003年第2期69-72,共4页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(50032010)

摘　　要：综述了硅中氮离子注入的应用和研究进展。主要讨论了氮离子注入形成SOI层的原理、质量的影响因素和电学性能;介绍了氮离子注入在制备超薄氧化栅极及其抑制掺杂杂质原子特别是硼原子扩散等方面的研究和应用。The paper summarizes research process in SOI formed by N ion-implantation in silicon.In the paper,the factors influcing nitrogen ion-implantation and the electric properties of implanted layer are discussed in details.Furthermore,N ion-implantation that is used in ultra-thin gate oxide parts and in restraining the diffusion of doped impurity is also described.

关 键 词：氮离子 离子注入 硅 SOI 半导体材料 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]