基于Ⅲ族氮化物材料的光电子器件技术  

作　　者：亢勇[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所

出　　处：《红外》2002年第12期6-12,共7页Infrared

摘　　要：1引言 Ⅲ族氮化物具有宽禁带、高击穿电压、异质结通道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度等特点,是大功率和高温半导体器件的理想材料.目前可实现的实用器件主要有:紫外探测器、X射线探测器、发光二极管、场效应晶体管、异质结双极晶体管、微波电子器件、高温电子器件等.目前最主要的、应用最广的Ⅲ族氮化物器件是紫外探测器和光发射器件.

关 键 词：Ⅲ族氮化物 光电子器件 半导体材料 紫外探测器 光发射器件 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]