云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 光发射器件

光发射器件: 作品数：15被引量：11H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：祝宁华邓晔王欣高飞徐之光更多>>; 相关机构：青岛海信宽带多媒体技术有限公司中国科学院株式会社半导体能源研究所华为技术有限公司更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《物理化学学报》《红外与激光工程》《半导体光电》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>

基于量子点和纳米线复合体系的低维柔性光发射器件: 《红外与激光工程》2023年第10期139-148,共10页刘春阳盛羽杰佟金阳卢星桥于长明母一宁汪学文; 吉林省教育厅2021年度科学技术研究规划重点项目(JJKH20210800KJ);吉林省产业创新专项资金项目(2019C043-6)。; 柔性自发光器件是当前照明和显示领域的前沿课题。相比有机发光二极管,无机半导体具有更稳定的物理化学性质,但晶态无机薄膜不具有良好柔韧性,因此,低维纳米线阵列结构成为柔性器件研究新的突破方向。铯铅卤化物钙钛矿量子点具有高发光...; 关键词：柔性光发射器件氧化锌纳米线钙钛矿量子点电泵浦激光荧光型发光二极管

强界面相互作用h-BN/Re(0001)体系上不可修复的畴区拼接缺陷及其电子态: 《物理化学学报》2017年第8期1510-1511,共2页吴凯; 六方氮化硼（h-BN）是以硼原子（B）与氮原子（N）交替连接形成的蜂窝状二维原子晶体，作为二维材料家族中唯一的宽带隙绝缘体（～5．8eV），具有优异的导热性、良好的透光性、稳定的化学性质以及原子级平整的表面，这使其在光发射器件、; 关键词：界面相互作用电子态可修复缺陷拼接二维材料六方氮化硼光发射器件

低维半导体异质结构材料及激光器研究: 《中国科技成果》2016年第17期14-14,24,共2页; 国家重点研发计划项目（2016YFB0402300）.; 高度信息化社会的快速发展对先进光电子材料及光发射器件提出越来越高的要求。纵观半导体激光器的发展历程，每一次阶跃性的技术进步都依赖于光电子材料或器件结构的突破性进展。从最初的同质结体材料到异质结材料再到具有量子限制效应...; 关键词：异质结构材料半导体激光器低维半导体光电子材料量子限制效应布拉格反射器光发射器件信息化社会

硅基片上光互连电路设计被引量：1: 《光电子》2016年第2期47-53,共7页唐雄范仁森马正飞徐开凯(指导) 于奇; 新型微纳器件的国防重点学科实验室和系统技术;中国的自然科学基金的开放式基金在合同61540013的支持;四川省科学技术基金会在合同2016JY0217的支持;开放式的基金电子薄膜与集成器件国家重点实验室下的合同KFJJ201508的支持;科技在模拟集成电路科学技术实验室在合同9140C090112150C09042的支持;四川省科技厅13年支撑计划,2013GZX0139,高效高可靠Led照明糸列集成电路的研制。; 根据摩尔定律,芯片的集成度不断提高,传统的片上互连技术由于受到电互连物理特性的限制,其传输延迟、带宽密度和功耗等关键性能指标很难有质地提升,成为制约片上互连性能进一步提升的瓶颈。相比之下,光互连信号传输具有损耗低、速度快...; 关键词：MOS管光发射器件硅基发光器件硅基光互连电路

Recent progress in ZnO-based heterojunction ultraviolet light-emitting devices被引量：4: 《Chinese Science Bulletin》2014年第12期1219-1227,共9页Yichun Liu Haiyang Xu Chunyang Liu Weizhen Liu; supported by the National Basic Research Program of China(2012CB933703);the National High Technology Research and Development Program of China(2006AA03Z311);the National Natural Science Foundation of China(51172041,91233204 and 51372035);the Program for New Century Excellent Talents in University(NCET-11-0615); Wide bandgap(3.37 eV)and high excitonbinding energy of ZnO(60 meV)make it a promising candidate for ultraviolet light-emitting diodes(LEDs)and low-threshold lasing diodes(LDs).However,the difficulty in producing stabl...; 关键词：紫外发光二极管异质结器件 ZNO 光发射器件表面等离子体激元异质结构氧化锌激光二极管

用于制备硅LED的太阳能电池技术: 《半导体技术》2007年第10期829-832,共4页杨广华毛陆虹张彬郭维廉; 国家自然科学基金资助课题(60536030;60676038);天津市基础研究重点项目(06YFJZJC00200); 集成电路工艺发展使得芯片内部的互连成为芯片延时的主要问题。制备出高光效的硅LED已经成为OEIC发展的瓶颈。硅是间接带隙半导体,而且载流子寿命较长。所以使用硅材料制备发光器件是长久以来特别引人关注而又较难解决的问题。采取降低...; 关键词：光电子集成电路硅光发射器件太阳能电池钝化发射极、背面点扩散非晶硅

基于Ⅲ族氮化物材料的光电子器件技术: 《红外》2002年第12期6-12,共7页亢勇; 1引言 Ⅲ族氮化物具有宽禁带、高击穿电压、异质结通道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度等特点,是大功率和高温半导体器件的理想材料.目前可实现的实用器件主要有:紫外探测器、X射线探测器、发光二极管、场效应晶体管、异质结双极...; 关键词：Ⅲ族氮化物光电子器件半导体材料紫外探测器光发射器件

集成电路芯片上光互连研究的新进展被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2001年第4期387-397,共11页阮刚肖夏 R.Streiter 陈智涛 T.Otto T.Gessner; 讨论了集成电路向高集成度、高工作频率和高传输速率继续发展时 ,常规金属互连出现的困难以及集成电路芯片上光互连具有的潜在优势 .介绍了组成芯片上光互连的光发射器件、光接收器件和光传输器件等三种基本器件及其与硅集成电路集成的...; 关键词：集成电路光互连光发射器件光接收器件光传输器件

ZnSe宽带隙半导体光发射器件被引量：1: 《半导体光电》2000年第A03期19-24,共6页何兴仁; ZnSe宽带隙半导体光发射器件是未来全色光显示和高密度光记录用的重要器件。在相继完成材料、掺杂技术 ,以及器件结构相关的研究工作后 ,目前正在攻克器件实用化的关键技术———寿命。介绍了ZnSe的 p型和n型导电材料的控制技术及其LD和...; 关键词：硒化锌宽带隙半导体光发射器件发光二极管

单层有机半导体微腔效应的研究被引量：1: 《半导体光电》2000年第3期171-173,共3页廖克俊王万录; 国家自然科学基金资助项目! (6 9776 0 35 ); 制作了DBR/ITO/PPV/Al微腔结构 ,研究了这种结构PPV发光器件的光致发光和电致发光特性。实验结果表明 ,由简单地调节夹于两金属电极镜面之间的PPV层厚度可实现微腔效应。; 关键词：光发射器件电致发光微腔效应有机半导体

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