InN纳米材料发光的蓝移研究  

作　　者：王培南[1] 杨炜东[1] 等 

机构地区：[1]先进光子学材料与器件国家重点实验室复旦大学光科学与工程系，上海200433

出　　处：《量子电子学报》2002年第6期565-566,共2页Chinese Journal of Quantum Electronics

关 键 词：INN 纳材料 发光 蓝移 氮化铟 半导体材料 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]