九州大学开发出高密度二硫化钼纳米带新技术,助力下一代半导体开发  

出　　处：《中国钼业》2025年第1期50-50,共1页China Molybdenum Industry

摘　　要：日本九州大学2025年1月9日宣布,其研究团队开发了一种利用化学气相沉积法(CVD)在蓝宝石基板上高密度生长二硫化钼(MoS2)纳米带的新方法。研究发现,这种纳米带的边缘部分表现出接近中心区域100倍的催化活性,同时MoS2纳米带作为半导体器件展现出优异的电学特性。这项研究由九州大学大学院联合名古屋大学、东北大学、筑波大学、大阪大学、产业技术综合研究所、京都大学和熊本大学的多位专家共同完成。

关 键 词：名古屋大学 京都大学 九州大学 大阪大学 团队开发 半导体器件 边缘部分 纳米带 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程] TQ136.12[化学工程—无机化工]