忆阻器建模及其在类脑计算中的应用  

作　　者：王玉 戚银城[1] 

机构地区：[1]华北电力大学电子与通信工程系

出　　处：《计算机产品与流通》2025年第1期35-37,共3页COMPUTER PRODUCTS AND CIRCULATION

摘　　要：本文聚焦忆阻器(memristor)动态特性建模方法及其在神经形态计算中的应用。忆阻器具备类突触的长短时记忆特性,能够有效满足神经形态系统的构建需求,展现显著的应用优势。基于这一特性,本文利用“DNN+NeuroSim”这一先进仿真框架,通过其内置的忆阻器数学模型,分析了在不同脉冲条件下的长时程增强(LTP)与长时程抑制(LTD)行为,并探讨了该模型在神经网络中的潜在应用。本文对短时程可塑性(STP)进行了建模分析,探究其在储层计算中处理动态任务的能力。结果表明,忆阻器能够有效模拟突触行为,并在静态与动态任务中展现优异的处理性能。忆阻器的特性为类脑计算提供了新的应用前景,并推动了神经网络性能优化的进展。

关 键 词：类脑计算 长短时记忆 忆阻器 网络性能优化 神经网络 仿真框架 长时程抑制 处理性能 

分 类 号：TP3[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]