逻辑电路产品SRAM待机漏电流的机理及改善方案分析  

Analysis of the Mechanism and Improvement Plan for Standby Leakage Current of SRAM in Logic Circuit Products

作　　者：朱宏亮 马德敬 段培业 ZHU Hongliang;MA Dejing;DUAN Peiye(SMIC(Beijing)Co.,Ltd.,Beijing 100176,China)

机构地区：[1]中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,北京100176

出　　处：《电子技术(上海)》2024年第12期20-21,共2页Electronic Technology

摘　　要：阐述针对逻辑芯片生产线中实际遇到的SRAM漏电问题进行分析,提出三种方案对储存单元中共用通孔的形貌进行改善,并对结果进行对比和总结。This paper describes the analysis of the SRAM leakage problem encountered in logic chip production lines,proposes three solutions to improve the morphology of common through holes in storage cells,and compares and summarizes the results.

关 键 词：集成电路制造 漏电功耗 SRAM 共用通孔 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学] TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]