漏电功耗

作品数：14被引量：14H指数：3
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相关作者：佟玉凤张为骆祖莹李晓维常晓涛更多>>
相关机构：中国科学院上海华虹宏力半导体制造有限公司南京低功耗芯片技术研究院有限公司天津大学更多>>
相关期刊：《集成电路应用》《计算机研究与发展》《电子技术（上海）》《软件》更多>>
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逻辑电路产品SRAM待机漏电流的机理及改善方案分析
《电子技术(上海)》2024年第12期20-21,共2页朱宏亮 马德敬 段培业 
阐述针对逻辑芯片生产线中实际遇到的SRAM漏电问题进行分析,提出三种方案对储存单元中共用通孔的形貌进行改善,并对结果进行对比和总结。
关键词：集成电路制造 漏电功耗 SRAM 共用通孔 
基于多阈值电压技术的低功耗芯片设计被引量：3
《集成电路应用》2022年第12期20-23,共4页沈志春 夏玥 刘心舸 张清贵 吴欣延 
阐述一款低功耗芯片的设计,利用多阈值电压设计技术来降低静态漏电功耗,探讨一种基于层次化设计技术来降低功耗的方案,采用模块化进行综合优化设计,满足设计时序,降低22.5%的漏电功耗。
关键词：电子器件 静态漏电功耗 综合优化 多阈值电压设计 
一种集成电路静态老化测试的输入矢量选取方法
《微电子学与计算机》2014年第6期72-76,共5页崔小乐 李红 史新明 程作霖 
国家自然科学基金资助项目(61006032);广东省自然科学基金资助项目(S2011010001234);深圳市科技计划资助项目(JCYC20120614145742639;ZYC201105170354A)
在集成电路静态老化测试中,对被测电路持续施加特殊的固定测试矢量,使被测电路产生较大的漏电功耗,有利于其早期失效的发生,获得更好地老化效果.提出一种产生最大漏电功耗的测试矢量选取方法.在被测电路中设置合适的固定故障,通过ATPG...
关键词：静态老化 测试矢量 漏电功耗 故障模型 
基于独占式访存调度的片上系统电源门控方法被引量：1
《高技术通讯》2014年第3期256-262,共7页刘苏 苏孟豪 苏文 
国家"核高基"科技重大专项课题(2009ZX01028-002-003;2009ZX01029-001-003;2010ZX01036-001-002);国家自然科学基金(60921002;61003064;61050002;61070025;61100163;61133004;61173001;61232009);863计划(2012AA010901;2012AA011002;2012AA012202;2013AA014301)资助项目
为减少片上系统(SoC)中访存模块的漏电功耗,在分析访存行为的基础上,提出了一种基于独占式访存调度的电源门控方法。该方法根据访存模块对延迟容忍度较高和功耗优化空间很大的特点,利用访存调度器将访存模块的请求集中于窗口中,并在窗...
关键词：独占式 访存调度 电源门控 片上系统(SoC) 漏电功耗 
A Comparative Study ＆ Performance Analysis of SRAM Cells with Symmetric ＆ Asymmetric Configuration
《通讯和计算机（中英文版）》2011年第4期313-317,共5页Sandeep Dhariwal Sushma Vipin Gupta Ritu Vijay Vijay Lamba 
关键词：SRAM单元 静态存储器 高速缓存 漏电功耗 存储单元 噪声容限 记忆细胞 待机模式 
基于输入向量控制的衬底偏置技术面积优化方法
《计算机辅助设计与图形学学报》2010年第12期2237-2241,共5页孙朝珊 黄琨 骆祖莹 
国家"八六三"高技术研究发展计划(2009AA01Z126);国家自然科学基金(60876025)
随着集成电路工艺进入纳米时代,VLSI漏电功耗迅速增加,增加了实时功耗管理系统的面积开销.为了大幅度减小反向衬底偏置(RBB)控制管的面积,对广泛应用的RBB优化漏电流技术提出一种新方法.基于双阈值CMOS电路设计,在输入最小漏电流向量的...
关键词：漏电功耗 衬底偏置 输入向量控制 
微处理器片上缓存漏电功耗优化方法研究
《高性能计算技术》2010年第4期17-22,共6页赵冠一 田新华 吴越 郭昕 
随着芯片集成度越来越高，片上缓存所占芯片面积越来越大，其漏电功耗在芯片总功耗中所占比例也在增加。制造工艺的进步使得该问题更加突出。在现代微处理器设计中，必须考虑片上缓存漏电功耗的影响。本文总结比较了四种片上缓存漏电功...
关键词：CACHE 漏电功耗 门控电源 动态阈值电压 自动栅控MT-CMOS DVS技术 
TSMC协助美商巨积公司降低下一世代产品百分之二十五的漏电功耗
《电子与封装》2010年第2期43-43,共1页本刊通讯员 
全球最大的专业集成电路制造服务公司台积电（TSMC）1月6日宣布，客户美商巨积公司（LSICorporation）使用TSMC65纳米低功耗工艺的降低功耗（PowerTrim）技术，有效减少下一世代产品的总漏电耗能达百分之二十五以上。
关键词：漏电功耗 TSMC 十五 产品 世代 集成电路制造 服务公司 低功耗 
一种模块级的温度感知漏电功耗估计策略被引量：1
《高技术通讯》2009年第11期1181-1186,共6页刘晓飞 张戈 姚志刚 肖天昊 
973计划(2005CB321600);863计划(2009AA01Z125);国家自然科学基金(60803029)资助项目
针对CMOS集成电路设计对芯片漏电功耗估算的要求以及漏电功耗与温度呈指数依赖关系的特点,提出了一种温度感知的模块级漏电功耗估计策略。该策略通过在漏电功耗估计过程中引入热分析技术,把模块由于自身耗能所引起的温度变化及时反馈到...
关键词：漏电流 功耗估计 温度感知设计 简化热模型 
最小漏电向量的高效搜索算法研究
《黑龙江科技信息》2008年第18期45-45,共1页薛巨琴 范东溟 
随着芯片工艺技术的发展,漏电逐渐成为功耗的主要部分,特别是当一个电路频繁进入空闲状态的时候。输入向量控制(IVC)技术可以有效地减少漏电功耗。基于这种技术,我们提出三种快速搜索最小漏电向量的方法。
关键词：低功耗 输入向量控制 漏电功耗 最小漏电向量 
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