噪声容限

作品数：39被引量：24H指数：2
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干涉仪仪器传递函数噪声容限分析与优化
《光学精密工程》2024年第11期1653-1666,共14页樊耀轩 张文喜 伍洲 杨帅 覃日康 
中国科学院青年创新促进会基金资助项目(No.2020131)。
在高精度平面干涉仪系统评价标准中,仪器传递函数(Instrument Transfer Function,ITF)已经逐渐成为干涉仪性能的重要评价指标,它准确地反映了光学系统对于测量形貌不同空间频率的分辨能力。然而,ITF测试过程中的实验环境要求较为严格,...
关键词：干涉测量 斐索干涉仪 仪器传递函数 噪声容限 
可控掺杂双极性半导体聚合物应用于简化构筑综合性能优异的有机逻辑电路
《Science China Materials》2023年第6期2436-2444,共9页杨佳鑫 陈胜楠 刘情情 王永帅 苗扎根 任晓辰 胡袁源 张光杰 董焕丽 乔雅丽 宋延林 胡文平 
supported by the Ministry of Science and Technology of China(2018YFA0703200 and 2022YFB3603800);the National Natural Science Foundation of China(21875259,52233010,51725304,61890943 and 22021002);the Chinese Academy of Sciences Project for Young Scientists in Basic Research(YSBR-053);the Youth Innovation Promotion Association of the Chinese Academy of Sciences;the National Program for Support of Top-notch Young Professionals;Beijing National Laboratory for Molecular Sciences(BNLMS-CXXM-202012);the Key Research Program of the Chinese Academy of Sciences(XDPB13)。
有机电子学的最终目标是实现简单地构筑高性能逻辑电路以满足各种应用需求.双极性有机半导体,特别是双极性共轭聚合物,在制备可溶液印刷、低成本和大面积的有机电路方面具有独特的优势.然而,本征双极性聚合物的窄带隙导致其电流开关比低...
关键词：逻辑电路 薄膜晶体管 有机半导体 与非门 增益值 极性聚合物 双极性 噪声容限 
A multihalogenation strategy for ambipolar transistors and high-gain inverters with good noise margin被引量：1
《Science Bulletin》2022年第18期1849-1853,M0003,共6页Jie Yang Xueli Yang Jinyang Chen Zhiyuan Zhao Yaqian Jiang Mingliang Zhu Junyu Li Kai Chi Shuai Wang Yunlong Guo Yunqi Liu 
supported by the National Natural Science Foundation of China(61890940,21922511,91833306,and 91833304);the National Key R&D Program of China(2018YFA0703200);the CAS Key Research Program of Frontier Sciences(QYZDY-SSWSLH029);Research Program of the Chinese Academy of Sciences(XDB30000000);the CAS-Croucher Funding Scheme for Joint Laboratories,and the CAS Cooperation Project(121111KYSB20200036)。
Inorganic electronics are mainly based on complementary metal–oxide-semiconductor(CMOS)structures that use both ptype and n-type transistors.The complementary structures have promoted the achievement of logic circuit...
关键词：双极性晶体管 反相器 阈值电压 电子迁移率 半导体性能 逻辑电路 半导体聚合物 噪声容限 
美军标MIL-STD-883K中噪声容限测试方法的适用性研究被引量：3
《电子测量技术》2017年第5期14-22,共9页菅端端 刘芳 钟明琛 
提出了美军标MIL-STD-883K噪声容限测试方法在使用中的一些问题。基于对业界所用噪声容限测试方法的分析,比较了各种方法间的区别和优缺点,分析了美军标中噪声容限测试方法很少修订却长期存在的原因。通过对相关标准和测试方法的梳理,...
关键词：噪声容限 最大等边法 最大乘积法 动态最大等边法 
65nm近阈值SRAM稳定性分析被引量：2
《微电子学与计算机》2017年第1期26-29,34,共5页于雨情 王天琦 齐春华 肖立伊 喻沛孚 
深圳市战略新兴产业发展专项资金资助(JCYJ20150625142543456);哈尔滨市科技创新人才研究专项资金(2015RAXXJ003)
本文通过将供电电压降低到近阈值区域实现低功耗的目的.现有标准6T-SRAM在近阈值电压下的性能非常差,且受工艺波动的影响很大.因此,本文提出了一种新型的8T-SRAM,与近阈值电压下的6管单元相比,其静态功耗基本相同,读噪声容限也增加了一...
关键词：低功耗 近阈值电压 读噪声容限 工艺波动 
6-T CMOS SRAM单元稳定性分析及设计优化被引量：2
《半导体技术》2015年第4期261-272,共12页蔡洁明 魏敬和 刘士全 胡水根 印琴 
介绍了一种由两个交叉耦合反向器构成的6-晶体管(6-T)存储单元的噪声容限分析方法。对6-T CMOS SRAM单元的稳定性作了分析及仿真。借助SPICE和MATLAB工具,对存储单元在数据保持和数据读取时的稳定性、数据写入过程中的可靠性及其之间的...
关键词：6-T存储单元 噪声容限 读稳定性 写可靠性 设计优化 
一种用于提高读写操作的新型8管SRAM单元设计
《电脑知识与技术》2015年第6期254-256,共3页李颂 孟坚 
随着MOS制造工艺的不断发展,晶体管的特征尺寸越来越小,SRAM存储单元对制造工艺的要求也越来越高,功耗问题也越来越突出,该文设计的新型8管采用单个位线来进行读写操作,在两个交叉耦合的反相器之间加入PMOS晶体管来提高写能力。仿真的...
关键词：新型8管 单个位线读写 静态噪声容限 保持噪声容限 
基于XDSL串扰噪声的应对技术分析研究
《计算技术与自动化》2014年第3期73-78,共6页王世峰 张宇驰 
在DSL运行环境中,由于电缆内部线对间的非屏蔽而存在电磁耦合导致的串扰。串扰噪声造成XDSL速率下降甚至重训练,影响业务质量。本文对串扰导致的性能损失和导致重训练的原因进行分析并且就解决串扰导致稳定性问题的方法进行探讨。
关键词：噪声容限 串扰 自适应速率调整 虚拟噪声 人工噪声 
全石墨烯集成电路架构制成用于制造柔性透明设备
《半导体信息》2013年第6期15-16,共2页郑畅 
据物理学家组织网近日报道,美国科学家研制出了一种新的集成电路架构并做出了模型。在这一架构内,晶体管和互连设备无缝地结合在一块石墨烯薄片上。发表在《应用物理快报》杂志上的这项最新研究将有助于科学家们制造出能效超高的柔性透...
关键词：石墨烯 互联设备 互连设备 制造柔性 应用物理 电子设备 纳米带 噪声容限 异质结构 静态功耗 
高可靠性标准单元库性能参数的设计研究
《微电子学与计算机》2013年第10期114-118,共5页梁曼 蒋见花 
国家科技重大专项(2009ZX02306003;2009ZX02305013)
为了设计高可靠性标准单元库的性能参数,需要对其最基本的单元模块反相器的性能参数进行研究.平衡考虑延时特性、噪声容限和功耗等方面的因素,首先确定反相器晶体管PMOS和NMOS的宽度比,然后根据设计需要确定具体的晶体管尺寸,提出了一...
关键词：反相器 延时特性 噪声容限 功耗 电压传输特性(VTC) 
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