A Comparative Study ＆ Performance Analysis of SRAM Cells with Symmetric ＆ Asymmetric Configuration  

作　　者：Sandeep Dhariwal Sushma Vipin Gupta Ritu Vijay Vijay Lamba 

机构地区：[1]Electronics ＆ Communication Department, Kurukshetra University, Kaithal 136027, India [2]Electronics ＆ Communication Department, R.P. I.I. T., Karnal, India [3]Department of Electronics, Banasthali University, Rajasthan 304022, India

出　　处：《通讯和计算机（中英文版）》2011年第4期313-317,共5页Journal of Communication and Computer

关 键 词：SRAM单元 静态存储器 高速缓存 漏电功耗 存储单元 噪声容限 记忆细胞 待机模式 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构] TP333.8[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]