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作 者:李占涛 付慧玲[1] 王佩佩[1] 马立凤[1] 王晓丽[1,2]
机构地区:[1]银川市第一人民医院中医科,宁夏银川750001 [2]宁夏医科大学
出 处:《吉林医学》2025年第4期768-771,共4页Jilin Medical Journal
摘 要:观察失荅剌知丸干预下的脑缺血再灌注大鼠脑组织中血管内皮生长因子(VEGF)-Notch信号分子表达和血管新生情况。方法:选取56只雄性SD大鼠并随机分为7组,每组8只,包括给药组的米诺环素组(MNHS组)、失荅剌知丸组(SDLZW组)以及联合组(失荅剌知丸+米诺环素),其中SDL2W组又按给药浓度分为低剂量(S-L)、中剂量(S-M)和高剂量(S-H);非给药组即空白组(SHAM组)与模型组(MCAO组)。将模型及各给药组大鼠通过改良线栓法制备为脑缺血再灌注损伤模型(MCAO)。给药组分别予以米诺环素、相应浓度失荅剌知丸水煎剂灌胃干预,联合组同时予以低剂量失荅剌知丸和米诺环素,其余各组予等量生理盐水灌胃,2次/d,连续给药7 d。通过免疫组织化学法检测大鼠缺血半暗区皮层内皮微血管密度,应用Western印迹法检测VEGF-Notch信号分子的表达情况。结果:与MCAO组比较,SDL2W组各组损伤脑组织中微血管密度明显增高,用药组VEGF-Notch信号分子表达升高,差异均有统计学意义(P<0.05)。与MNHS组比较,SDL2W组VEGF-Notch信号分子表达明显升高,差异有统计学意义(P<0.05),其中尤以S-High组升高最为明显。结论:失荅剌知丸对损伤脑组织中毛细血管具有促进新生的作用,该作用可能与失荅剌知丸提高了脑缺血再灌注大鼠损伤脑组织中VEGF-NOTCH信号分子的表达有关。
关 键 词:失荅剌知丸 脑缺血再灌注 血管内皮生长因子 Notch信号分子 血管 新生
分 类 号:R743[医药卫生—神经病学与精神病学]
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