高温SOICMOS倒相器瞬态特性的研究  

Study on Transisent Characteristics of High Temperature SOI CMOS Inverter

作　　者：冯耀兰[1] 宋安飞[1] 樊路嘉[1] 张正璠[2] 

机构地区：[1]东南大学微电子中心,南京210096 [2]信息产业部电子第24所,重庆400060

出　　处：《电子器件》2002年第4期324-326,共3页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：模拟集成电路国家级重点实验室资助项目 (批准号 :2 0 0 0 JS 0 9.8.1JW0 60 4)

摘　　要：本文主要研究高温 SOI CMOS倒相器在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区的瞬态特性。研究结果表明 :当采用 N+ PN+和P+ PP+ 结构薄膜 SOI MOSFET组合 ,并且其结构参数满足高温应用的要求 ,则 SOI CMOS倒相器实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )WT10.5,10.BZ]In this paper, the transient characteristics of high temperature SOI CMOS inverter in (27～300℃) are studied.Research results show that when combination structure of N\++PN\++ and P\++PP\++ thin film SOI MOSFET is employ and structure parameters meet the demands of high temperature property the SOI CMOS inverter experimental sample have excellent high temperature transient characteristics in (27～300℃).

关 键 词：高温SOI CMOS倒相器 互补金属-氧化物-半导体倒相器 瞬态特性 宽温区 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]