CMOS倒相器

作品数：7被引量：5H指数：2
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外延厚度对CMOS倒相器闩锁特性的影响研究
《微处理机》2017年第5期16-19,共4页邵红 
CMOS电路由于寄生结构的影响,在大电流的情况下,易发生闩锁效应。如有该效应发生,极有可能导致芯片烧毁。一般从电路设计和版图设计两个方面可以减少闩锁效应的产生,同时在工艺方面采取措施可进一步降低闩锁效应,采用外延厚度的控制是...
关键词：外延厚度 闩锁特性 CMOS倒相器 
碳化硅CMOS倒相器温度特性被引量：2
《西安电子科技大学学报》2005年第3期396-399,共4页王平 杨银堂 王旭 
教育部重点资助项目(02074);国家部委科技预研基金资助项目
建立了6H SiC材料和器件模型,应用二维器件仿真软件MEDICI对所设计的亚微米6H SiC CMOS倒相器的温度特性进行了研究.研究结果表明,该倒相器在600K的高温下仍可以正常工作,且具有良好的电压转移特性和瞬态特性;在300～600K的温度范围内,...
关键词：6H-SIC CMOS倒相器 温度特性 电压转移 阈值电压 
高温SOICMOS倒相器瞬态特性的研究被引量：1
《电子器件》2002年第4期324-326,共3页冯耀兰 宋安飞 樊路嘉 张正璠 
模拟集成电路国家级重点实验室资助项目 (批准号 :2 0 0 0 JS 0 9.8.1JW0 60 4)
本文主要研究高温 SOI CMOS倒相器在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区的瞬态特性。研究结果表明 :当采用 N+ PN+和P+ PP+ 结构薄膜 SOI MOSFET组合 ,并且其结构参数满足高温应用的要求 ,则 SOI CMOS倒相器实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )
关键词：高温SOI CMOS倒相器 互补金属-氧化物-半导体倒相器 瞬态特性 宽温区 
宽温区CMOS倒相器的传输特性模型
《怀化师专学报》2000年第5期48-52,共5页罗岚 
在考虑了器件高温泄漏电流的前提下 ,建立了宽温区CMOS倒相器的传输特性模型 ,明确了制约CMOS电路高温性能的主要因素以及设计的关键之处 最后 。
关键词：CMOS倒相器 传输特性 宽温区 泄漏电流 高温性能 高温微电子 
基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型被引量：1
《Journal of Semiconductors》2000年第7期711-716,共6页宋任儒 阮刚 梁擎擎 ReinhardStreiter ThomasOtto ThomasGessner 
提出了一个新的小尺寸 CMOS倒相器延迟模型 ,它考虑了速度饱和效应以及非阶梯的输入信号对延迟的影响并给出了倒相器快输入响应与慢输入响应的判据 ,模型计算结果与SPICE BSIM1模型的模拟结果吻合得很好 .
关键词：速度饱和 倒相器 延迟 CMOS 
高温SOICMOS倒相器MOSFET组合的研究被引量：2
《电子器件》2000年第1期13-18,共6页宋安飞 张海鹏 
国家自然科学基金重点项目 !(批准号 :6 9736 0 2 0 )
在讨论薄膜 SOIMOSFET高温性能和高温应用优越性的基础上 ,以高温应用为目标 ,对适用于高温 SOICMOS倒相器的三种 MOSFET组合结构进行了比较分析 ,最终确定了高温 SOICMOS倒相器的 MOSFET组合结构的选取原则。
关键词：SOI CMOS 倒相器 MOSFET 
外延双阱CMOS倒相器的性能及制造工艺
《微处理机》1991年第1期10-17,共8页王印 成勃 谭延军 
本文以倒相器为实例,较详细地介绍3微米设计规则的外延双阱 CMOS 器件,通过理论分析,计算机模拟、工艺实验及参数测试研究,分析阱的注入剂量,阱深和杂质分布的关系,探索工艺参数的优化设计,研究外延双阱 CMOS 倒相器的速度特性和抗闩锁...
关键词：CMOS器件 例相器 性能 外延 双阱 
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