基于脉冲I-V测试方法的半导体激光器热特性测量  

作　　者：南矿军[1] 张永刚[1] 何友军[1] 李爱珍[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《飞通光电子技术》2002年第4期186-189,共4页

摘　　要：报道了一种在脉冲驱动条件下基于半导体激光器I—V特性测量进行半导体激光器热特性表征的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊型波导应变补偿多量子阱激光器芯片的I—V特性,可以方便地得到该激光器的热阻等热特性参数。本文还对该激光器在不同脉冲驱动条件下的驱动电流和结电压波形进行了讨论。该方法也可用于其它波段的半导体激光器的热特性表征。

关 键 词：脉冲I-V测试方法 半导体激光器 热特性表征 多量子阱 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]